RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
60
Por volta de -131% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
8.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2157
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link