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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
60
Por volta de -88% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
14.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3430
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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