RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
61
Por volta de 2% menor latência
Razões a considerar
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.2
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
61
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
8.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
6.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
1813
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link