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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
61
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
8.2
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.4
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
61
读取速度,GB/s
4,595.2
8.2
写入速度,GB/s
2,168.2
6.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
1813
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
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