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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
69
左右 -23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
56
读取速度,GB/s
3,325.1
18.7
写入速度,GB/s
1,441.2
8.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2235
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
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Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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