RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
60
Por volta de -46% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
41
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2902
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link