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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2938
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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