RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
71
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.2
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
5.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
1344
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link