RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
71
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.2
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
5.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1344
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link