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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
16.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
16.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3646
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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