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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
63
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2534
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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