RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2534
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link