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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
65
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
8.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
1921
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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