RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.7
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
65
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
1921
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link