RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905702-082.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2769
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link