RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2769
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link