RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
65
Por volta de -91% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2791
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link