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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
4,806.8
15.2
写入速度,GB/s
2,784.6
11.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2791
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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