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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
9.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2713
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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