Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    45 left arrow 65
    Por volta de -44% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    6.9 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    6.3 left arrow 2,784.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    65 left arrow 45
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,806.8 left arrow 6.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,784.6 left arrow 6.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    932 left arrow 1499
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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