RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
65
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1499
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link