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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
65
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
9.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2890
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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