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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
65
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3430
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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