RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3430
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link