Comparação RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 20.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,784.6 10.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

56 65

Por volta de -16% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 6400

Por volta de 3 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

932 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns