RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
65
Около -16% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2455
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link