RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2969
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link