RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
56
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
12.6
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
2817
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link