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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
59
Por volta de -111% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,559.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,505.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,559.1
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
407
3010
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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