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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
36
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
10.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
15.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3687
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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