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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
45
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3171
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
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Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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