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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3171
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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