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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
71
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
15
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
71
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
1813
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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