RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
71
Autour de 49% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
15
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
71
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
1813
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link