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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de -9% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
7.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2280
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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