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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston 9965589-024.D01G 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
15.0
10.2
写入速度,GB/s
10.3
7.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2280
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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