RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
11.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
17.1
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2763
3972
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link