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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
11.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
26
读取速度,GB/s
15.4
19.9
写入速度,GB/s
11.5
17.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2763
3972
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
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