RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de -27% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
26
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2808
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link