RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2808
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link