RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3601
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link