Comparaison de la RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Note globale

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 17000

Autour de 1.51% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 33

Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.5 17.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.7 12.0

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2910 3601

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns