RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3114
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link