RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3687
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link