RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
49
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
49
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2277
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link