RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3159
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link