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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
67
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
67
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1895
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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