RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
67
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
67
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1895
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link