RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
25
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
16.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3933
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link