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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
36
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3422
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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